YARIMO'TKAZGICHLI MAYDON TRANZISTORIGA YORUG'LIK TA'SIRI
Main Article Content
Abstract
Ushbu maqola yarimo'tkazgichlimaydon tranzistoriga yorug‘lik
ta‘siri o'rganilgan. Maydon tranzistorining yorug‘likka ta‘sirini o'lchashda o'lchov parametri sifatida yuqori omli voltmetr bilan darajalangan yopilish kuchlanishi olingan.
Article Details
References
Karimov A. V. et al. Tenso properties of field-effect transistors in channel cutoff mode //International Journal of Engineering Inventions e-ISSN. 2016.- С. 2278-7461.
Karimov A. V. et al. Nekotorye osobennosti ogranichitelya toka na polevom tranzistore //Tehnologiya i konstruirovanie v elektronnoj apparature. 2011.-№ 1-2.-С. 90.
Каримов А. В. и др. Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе //Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2011.
Djuraev D. R. et al. The principles of increasing the sensitivity of transistor structures to external influences //Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering. -2019.- Т. 1. - № 1. - С. 2.
A Turayev - E3S Web of Conferences, 2023// Sensitivity to pressure and light of a depletion-mode field-effect transistor.
Karimov A. V. et al. Distinctive features of the temperature sensitivity of a transistor structure in a bipolar mode of measurement //Journal of Engineering Physics and Thermophysics.-2016.-Τ. 89.- №. 2. - С. 514-517.
Abdulkhaev O. A. et al. Features of the temperature properties of a field-effect transistor in a current-limiting mode //Journal of Engineering Physics and Thermophysics.-2013.-T. 86. - №. 1. - С. 248-254.
Dzhuraev D. R., Turaev A. A. Features of key parameters of field transistors //Scientific reports of Bukhara State University. - 2020.- Т. 3. - №. 2.- C. 7-10.
Atoyevich T. A. et al. DIOD REJIMIDA ULANGAN MAYDON TRANZISTORIGA YORUG'LIK TA'SIRINI O'RGANISH //Results of National Scientific Research.-2022.-Τ. 1.-№. 2. С. 106-110.
Тураев А. А., Ахтамов Б. Р. Основные критерии параметров полевого транзистора для многофункционального датчика //Наука без границ. -2017. - №. 6 (11). С. 99-103.
Джураев Д. Р., Тураев А. А., Ниязов Л. Н. О стоковых характеристиках полевого транзистора в качестве ограничителя тока и приемника оптического сигнала //Современные тенденции развития науки и производства. 2014. - С. 135-135.