YARIMO'TKAZGICHLI MAYDON TRANZISTORIGA YORUG'LIK TA'SIRI

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

PDF (Uzbek)
Опубликован: мая 4, 2024

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Oliyabonu Kamolova
a:1:{s:5:"ru_RU";s:26:"Buxoro davlat universiteti";}

Аннотация

Ushbu maqola yarimo'tkazgichlimaydon tranzistoriga yorug‘lik
ta‘siri o'rganilgan. Maydon tranzistorining yorug‘likka ta‘sirini o'lchashda o'lchov parametri sifatida yuqori omli voltmetr bilan darajalangan yopilish kuchlanishi olingan.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Kamolova, O. (2024). YARIMO’TKAZGICHLI MAYDON TRANZISTORIGA YORUG’LIK TA’SIRI. Центр Научных Публикаций (buxdu.Uz), 49(49). извлечено от https://journal.buxdu.uz/index.php/journals_buxdu/article/view/12394
Выпуск
Том 49 № 49 (2024): Статьи и тезисы (buxdu.uz)
Раздел
Статьи buxdu.uz

Библиографические ссылки

Karimov A. V. et al. Tenso properties of field-effect transistors in channel cutoff mode //International Journal of Engineering Inventions e-ISSN. 2016.- С. 2278-7461.

Karimov A. V. et al. Nekotorye osobennosti ogranichitelya toka na polevom tranzistore //Tehnologiya i konstruirovanie v elektronnoj apparature. 2011.-№ 1-2.-С. 90.

Каримов А. В. и др. Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе //Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2011.

Djuraev D. R. et al. The principles of increasing the sensitivity of transistor structures to external influences //Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering. -2019.- Т. 1. - № 1. - С. 2.

A Turayev - E3S Web of Conferences, 2023// Sensitivity to pressure and light of a depletion-mode field-effect transistor.

Karimov A. V. et al. Distinctive features of the temperature sensitivity of a transistor structure in a bipolar mode of measurement //Journal of Engineering Physics and Thermophysics.-2016.-Τ. 89.- №. 2. - С. 514-517.

Abdulkhaev O. A. et al. Features of the temperature properties of a field-effect transistor in a current-limiting mode //Journal of Engineering Physics and Thermophysics.-2013.-T. 86. - №. 1. - С. 248-254.

Dzhuraev D. R., Turaev A. A. Features of key parameters of field transistors //Scientific reports of Bukhara State University. - 2020.- Т. 3. - №. 2.- C. 7-10.

Atoyevich T. A. et al. DIOD REJIMIDA ULANGAN MAYDON TRANZISTORIGA YORUG'LIK TA'SIRINI O'RGANISH //Results of National Scientific Research.-2022.-Τ. 1.-№. 2. С. 106-110.

Тураев А. А., Ахтамов Б. Р. Основные критерии параметров полевого транзистора для многофункционального датчика //Наука без границ. -2017. - №. 6 (11). С. 99-103.

Джураев Д. Р., Тураев А. А., Ниязов Л. Н. О стоковых характеристиках полевого транзистора в качестве ограничителя тока и приемника оптического сигнала //Современные тенденции развития науки и производства. 2014. - С. 135-135.