ОСОБЕННОСТИ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЧУВСТВИИ-ТЕЛЬНОСТИ ТРАНЗИСТОРНОЙ СТРУКТУРЫ В ДВУХПОЛЮСНОМ РЕЖИМЕ

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

PDF
Опубликован: ноя 12, 2022
Ключевые слова:
германиевая структура биполярный транзистор коллектор-база напряжение

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Akmal Turayev
a:1:{s:5:"ru_RU";s:26:"Buxoro davlat universiteti";}

Аннотация

В статье наблюдаемое увеличение рабочего тока (-) pnp + (+) - структур можно объяснить
Дело в том, что коэффициент передачи тока зависит от напряжения коллектор-эмиттер и увеличивается с ростом температуры из-за увеличения числа носителей, генерируемых в коллекторном переходе.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Turayev, A. (2022). ОСОБЕННОСТИ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЧУВСТВИИ-ТЕЛЬНОСТИ ТРАНЗИСТОРНОЙ СТРУКТУРЫ В ДВУХПОЛЮСНОМ РЕЖИМЕ. Центр Научных Публикаций (buxdu.Uz), 23(23). извлечено от https://journal.buxdu.uz/index.php/journals_buxdu/article/view/8098
Выпуск
Том 23 № 23 (2022): Статьи и тезисы (buxdu.uz)
Раздел
Статьи buxdu.uz

Библиографические ссылки

Karimov A.V., Dzhuraev D.R., Kuliev Sh.M., Turaev A.A. Distinctive features of the temperature sensitivity of a transistor structure in a bipolar mode of measurement // Journal of Engineering Physics and Thermophysics, 2016. Vol. 89, No. 2. PP. 514-517.

Sze S. M., Kwok K. Ng. Physics of Semiconductor Devices. Hoboken New Jersey: WileyInterscience, 2007. 3rd ed., P. 94.

M.A. Huque, L.M. Tolbert, B.J. Blalock, S.K. Islam, A high temperature, high-voltage SOI gate driver IC with high output current and on-chip lowpower temperature sensor, IMAPS International Symposium on Microelectronics, 2009, pp. 220-7.

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)