ОСОБЕННОСТИ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЧУВСТВИИ-ТЕЛЬНОСТИ ТРАНЗИСТОРНОЙ СТРУКТУРЫ В ДВУХПОЛЮСНОМ РЕЖИМЕ
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
В статье наблюдаемое увеличение рабочего тока (-) pnp + (+) - структур можно объяснить
Дело в том, что коэффициент передачи тока зависит от напряжения коллектор-эмиттер и увеличивается с ростом температуры из-за увеличения числа носителей, генерируемых в коллекторном переходе.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Библиографические ссылки
Karimov A.V., Dzhuraev D.R., Kuliev Sh.M., Turaev A.A. Distinctive features of the temperature sensitivity of a transistor structure in a bipolar mode of measurement // Journal of Engineering Physics and Thermophysics, 2016. Vol. 89, No. 2. PP. 514-517.
Sze S. M., Kwok K. Ng. Physics of Semiconductor Devices. Hoboken New Jersey: WileyInterscience, 2007. 3rd ed., P. 94.
M.A. Huque, L.M. Tolbert, B.J. Blalock, S.K. Islam, A high temperature, high-voltage SOI gate driver IC with high output current and on-chip lowpower temperature sensor, IMAPS International Symposium on Microelectronics, 2009, pp. 220-7.