Thermal Sensitive Parameter Of The Field Transistor In Current Limit Mode
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
In the article, a field-effect transistor with a p-n junction observed in the forward current limiting mode has a
temperature sensitivity determined by the process of current formation and, to a certain extent, by the level of carrier injection.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Библиографические ссылки
Курашкин С.Ф. Применение полупроводникового
диода в качестве измерительного преобразователя
температуры // Працi ТДАТУ. 2001. Том 3, № 11. С. 173-
Зеленов Г.Я. Измерение температуры p-n-переходом
//Современная электроника. 2007. № 2. С. 38-39.
Лыков А.И., Синицын В.С., Савельев А.А.
Радиационное управление свойствами первичных
преобразователей температуры//Труды Одесского
политехнического университета. 2004. Вып. 1. С.1-2.
Karimov A.V., Yodgorova D.M., Abdulhaev O.A.,
Kamanov B.M., Turaev A.A. Features of the temperature
properties of a field-effect transistor in a current-limiting
mode//Journal of Engineering Physics and Thermophysics,
– Vol. 86,No.1.– PP.248-254.
Д.Р.Джураев, А.В.Каримов, Д.М.Ёдгорова,
О.А.Абдулхаев, А.А.Тураев, Научный журнал “Физика
полпроводников и микроэлектроника” 1(01)2019.с.45-47