ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТА НАСЫЩЕНИЯТОКАСТОКАПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРАСПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСОЕДИНЕННЫМИКАНАЛАМИ

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Akmal Turayev

Аннотация

Приведены результаты исследования динамической модуляции канала полевого транзистора с помощью второго последовательно соединенного к истоку полевого транзистора выполняющего функцию двойного затвора за счет управляемого изменения перераспределения напряжения в дополнительном управляющем p-n-переходе. Сравнение исходных стоковых характеристик с характеристиками полевого транзистора, управляемого падающим напряжением в канале второго транзистора показало, что предложенный процесс насыщения тока стока обусловленный
расширением области объемного заряда по всей ширине затвора подтверждается, обеспечивая
ярко выраженное насыщение тока стока и высокое динамическое сопротивление. Экспериментально показано, что коэффициент усиления полевого транзистора имеет на порядок большее значение по сравнению с традиционными включениями с общим истоком  или с динамической нагрузкой. Коэффициент усиления становитсяфункций запирающего напряжения, и его максимальные значения достигаются при запирающем напряжении равном половине напряжения отсечки. Это обусловлено тем, что оба канала транзистора модулируются эффективно до участка напряжения насыщения тока стока. Предложен экспериментальный экспресс
метод определения сопротивления канала полевого транзистора.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Turayev, A. (2022). ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТА НАСЫЩЕНИЯТОКАСТОКАПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРАСПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСОЕДИНЕННЫМИКАНАЛАМИ. Центр Научных Публикаций (buxdu.Uz), 12(12). извлечено от https://journal.buxdu.uz/index.php/journals_buxdu/article/view/6511
Раздел
Статьи buxdu.uz

Библиографические ссылки

Ёдгорова Д.М. Механизм насыщения тока

стока полевого транзистора//Технология и

конструирование в электронной аппаратуре.

– 2006. – № 5(65). – С. 58-61.

Каримов А.В., Джураев Д.Р., Ёдгорова Д.М.,

Рахматов А.З., Абдулхаев О.А., Каманов Б.М., Тураев А.А. Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе//Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2011. – № 1-2 (90). –

С. 25-27.

Касперски Крис. Транзисторы сегодня и завтра. Chip 09/2003. http://www.radioradar.net/

hand_ book/documentation/vtt.html.

Милехин А.Г. Радиотехнические схемы на

полевых транзисторах//Энергия. – 1976. –

С. 28-29.

Моделирование электронных характеристик

силовых транзисторов и передаточных характеристик. www.cnaa.md/files/theses/2011/

/alexandr_penin_thesis.pdf.

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)